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  • 型号: MT49H32M18BM-25:B TR
  • 制造商: Micron Technology Inc
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MT49H32M18BM-25:B TR由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT49H32M18BM-25:B TR价格参考。Micron Technology IncMT49H32M18BM-25:B TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT49H32M18BM-25:B TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT49H32M18BM-25:B TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT49H32M18BM-25:B TR 是一款高性能的DRAM(动态随机存取存储器)模块,主要应用于需要高速数据处理和大容量内存支持的电子设备中。

该型号广泛应用于工业控制、通信设备、网络设备以及嵌入式系统等领域。例如,在路由器、交换机等网络基础设施中,可用于提升数据转发与处理效率;在工业自动化控制系统中,可为PLC、HMI等人机交互设备提供稳定可靠的内存支持。

此外,MT49H32M18BM-25:B TR 还适用于安防监控系统、高端消费类电子产品及车载电子系统等对性能和稳定性有较高要求的应用场景。其高可靠性和宽温工作范围也使其适用于较为严苛的环境条件。

总之,这款存储器适用于各种对数据传输速度和系统稳定性有较高需求的中高端电子设备和系统中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC RLDRAM 576MBIT 2.5NS UBGA

产品分类

存储器

品牌

Micron Technology Inc

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MT49H32M18BM-25:B TR

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

144-µBGA (18.5x11)

包装

带卷 (TR)

存储器类型

RLDRAM 2

存储容量

576M(32M x 18)

封装/外壳

144-TFBGA

工作温度

0°C ~ 95°C

接口

并联

标准包装

1,000

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

2.5ns

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